| IC芯片制造封装工艺的详细流程 IC Package （IC的封装方式）指芯片（Die）和不同类型的构造（L/F）和塑封料（EMC）构成的不同外形的封装体。 决议封装方式的两个关键要素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其间，CSP由于选用了Flip Chip技艺和裸片封装，抵达了 芯片面积/封装面积=1:1，为如今最高级的技艺； QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装 晶圆、引线构造，供应电路衔接和Die的固定效果；首要资料为铜，会在上面停止镀银、 NiPdAu等资料； L/F的制程有Etch和Stamp两种； 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH； 除了BGA和CSP外，其他Package都会选用Lead Frame， BGA选用的是Substrate； 结束芯片和外部引线构造的电性和物 理衔接； 金线选用的是99.99%的高纯度金； 一同，出于本钱思索，如今有选用铜 线和铝线工艺的。优点是本钱降落， 一同工艺难度加大，良率降落； 线径决议可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils； Mold Compound塑封料/环氧树脂 首要成分为：环氧树脂及各种添加剂； 首要功用为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来，供应物理和电气维护，防止外界烦扰； 存放条件：零下5°保管，常温下需回温24小时； 成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； 有三个效果：将Die固定在Die Pad上； 散热效果，导电效果； -50°以下存放，运用之前回温24小时； 将从晶圆厂出来的Wafer停止背面研磨，来减薄晶圆抵达 封装需求的厚度； 磨片时，需求在正面贴胶带维护电路区域 一同研磨背面。研磨之后，去除胶带，丈量厚度； FOL– Wafer Saw晶圆切开 将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即便被切开开后，不会散落； 经过Saw Blade将整片Wafer切开成一个个独立的Dice，便当后边的 Die Attach等工序； Wafer Wash首要清洗Saw时分发作的各种粉尘，清洁Wafer； FOL– 2nd Optical Inspection二光查看 首要是针对Wafer Saw之后在显微镜下停止Wafer的外观查看，能否有呈现废品。 FOL– Die Attach 芯片粘接 芯片拾取进程：1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜；2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，结束从Wafer 到L/F的运送进程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，详细位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s； FOL– Epoxy Cure 银浆固化 银浆固化：175°C，1个小时；N2环境，防止氧化： Die Attach质量查看： Die Shear（芯片剪切力） FOL– Wire Bonding 引线焊接 运用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead经过焊接的方法衔接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 衔接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 在产品（Package）的正面或许背面激光刻字。内容有：产品称号，出产日期，出产批次等； EOL– Post Mold Cure（模后固化） 用于Molding后塑封料的固化，维护IC内部构造，消弭内部应力。Cure Temp：175+/-5°C；Cure Time：8Hrs EOL– De-flash（去溢料） 企图：De-flash的企图在于去除Molding后在管体四周Lead之间 多余的溢料；方法：弱酸浸泡，高压水冲刷； EOL– Plating（电镀） 运用金属和化学的方法，在Leadframe的表面 镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿 和热）。并且使元器件在PCB板上简单焊接及 进步导电性。 电镀普通有两品种型： Pb-Free：无铅电镀，选用的是>99.95%的高纯 度的锡（Tin），为如今普遍选用的技艺，契合 Rohs的请求； Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占 15%，由于不契合Rohs，如今基本被淘汰； EOL– Post Annealing Bake（镀退火） 企图： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，企图在于 消弭电镀层潜在的晶须生长（Whisker Growth）的问题;条件： 150+/-5C; 2Hrs； EOL– Trim&Form（切筋成型） Trim：将一条片的Lead Frame切开成单独的Unit（IC）的进程； Form：对Trim后的IC产品停止引脚成型，抵达工艺需求求的外形， 并放置进Tube或许Tray盘中； EOL– Final Visual Inspection（第四道光检） 在低倍放大镜下，对产品外观停止查看。首要针对EOL工艺或许发作的废品：例如Molding缺陷，电镀缺陷和Trim/Form缺陷等； |
苏ICP备2021045868号-1|华东制造信息网 ( 苏ICP备2021045868-1 )
GMT+8, 2023-3-23 00:00 , Processed in 0.029763 second(s), 28 queries .
Powered by Discuz! X3.4
Copyright © 2001-2021, Tencent Cloud.
